Ｂｅ〈’＋〉注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ形成Ｐ型层与检测

摘要

为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿而得到Ｐ型区，Ｃ－Ｖ测试栽流子剖面分布有比较理想的结果，实现了在２７０－６１０ｎｍ深度上的Ｐ型层。为了制作光电晶体管，要腐蚀至Ｐ区，制作基极欧姆接触，在腐蚀速度未知的情况下，根据肖特基接触的原理，用两探针方法进行检测，确定了实际工艺过程中的条件，得到了良好的发射极特性。