液滴ヘテロエビタキシー法によるInP基板上GalnAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用

摘要

InP (001)基板に格子整合したGaInAsPやAlInAs上への液滴ヘテロエビタキシーによりInAs量子ドットを作製した。 In液滴の形成時にTMIn供給時間を変化させたところ、その成長過程にInP上のInAs量子ドットとの相違が見られた。 InP上では全ての供給時間において小さいドットと同時にドット同士の合体により大きなドットも形成された。 一方、GaInAsPやAlInAs上では短時間の供給においてInAs量子ドットの合体が抑制され、小さなドットのみを得ることができた。 室温でのフォトルミネセンスと電流注入により発光特性を評価し、InAs ドットからの超広帯域の発光を観測した。