液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A 上InAs 量子ドット形成におけるInAs 下地層の効果

摘要

我々は、通信波長帯もつれ光子源の実現を目的に、液滴エピタキシー法によるInP(111)A 基板上の高対称性InAs 量子ドット形成に関する研究を行っている[1,2]。液滴エピタキシー法では、液滴の結晶化後に、量子ドットの品質改善とキャップ層成長温度の高温化を目的にキャップしていない量子ドットをアニールする。その際、InAs 量子ドットから流れ出したInAsが二次元層（濡れ層）を形成することがこれまでの研究で分かっている[3]。今回我々は、量子ドット形成前に被覆率を制御したInAs 下地層を成長して、それがInAs 量子ドットのアニール後の形状に与える影響を調べたので報告する。