GeSi薄膜的低温制备及其生长表面反应控制

摘要

本文报道用等离子体增加化学气相沉积方法在单晶硅和玻璃衬底上低温生长GeSi薄膜,用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱和反射谱、透射谱等进行测量对样品的结构、成分和光学特性进行了表征,研究了生长条件对薄膜生长表面反应的影响.结果表明,样品由大小为20-30nm左右的晶粒构成,样品中Ge的含量依赖于样品生长时GeH<,4>和SiH<,4>的流量比.衬底温度和气体流量对薄膜纳米晶粒结构的形成具有协同作用,进而影响着薄膜的光学特性.文中对这些实验结果从生长表面反应及纳米晶粒形成进行了分析.