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沉积a-Si:H薄膜衬底温度对固相晶化影响的研究

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用a-Si:H薄膜经固相晶化为多晶硅薄膜,其形成的晶粒尺寸和性能与a-Si:H薄膜的初始结构有密切的关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件,其中衬底温度是一个重要的因素,本文重点研究沉积a-Si:H薄膜衬底温度对后续固相晶化效果的影响.实验表明存在一个最佳的沉积衬底温度,使得最终获得的多晶硅薄膜的性能最优.并对其机制进行了分析讨论.

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来源
《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》|2001年|98-99|共2页
会议地点北京
作者
姚若河; 林璇英; 吴萍; 余楚迎; 林扌(葵)训;
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作者单位

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
多晶薄膜; 衬底温度; 固相晶化;

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