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a-Si:H薄膜固相晶化过程中的可逆现象

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摘要

为了获得适合用于多晶硅薄膜太阳电池的多晶硅薄膜,该论文在中温情况下(退火温度在750℃-950℃之间)对传统的固相晶化方法进行了研究.通过Raman光谱分析获得了退火后多晶硅薄膜的结晶度随退火温度、退火时间和升、降温速率的变化规律,并发现了晶化过程中存在有可逆现象.

著录项

来源
《2004年中国生物质能技术与可持续发展研讨会》|2004年|386-389|共4页
会议地点郑州
作者
冯团辉; 张宇翔; 卢景霄; 杨仕娥; 陈永生; 王海燕;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;
关键词
多晶硅薄膜; 固相晶化; 结晶度; 太阳电池;

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