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自发极化与压电极化诱导AlGaN/GaN 2DEG计算

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本文选取常用的Ga-面AlGaN/GaN结构作为研究对象,计算了自发极化与压电极化产生的总的界面电荷与2DEG密度,得出了2DEG面电阻的值.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|51-52|共2页
会议地点贵阳
作者
李伟; 李爱珍;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.02;
关键词
自发极化; 压电极化; 界面电荷; AlGaN/GaN; 半导体材料;

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