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机译:具有自发极化和压电效应的纤锌矿型GaN / AlGaN量子阱激光器的线宽增强因子
Department of Physics, Catholic University of Taegu, Hayang, Kyeongbuk, Korea;
optoelectronic device characterization; design; and modeling; semiconductor-device characterization; design; and modeling; theory; models; and numerical simulation;
机译:伍兹特AlGaN / GaN双量子阱中线性和非线性子带间折射率的变化:压电效应和自发极化
机译:GaInP量子阱激光器自发发射的增益,折射率,线宽增强因子
机译:纤锌矿型ZnO / MgZnO量子阱激光器的自发和压电偏振效应
机译:纤锌矿GaN / AlGaN量子阱激光器中多体光增益与压电场效应的结构相关性
机译:砷化镓和砷化铟镓广域量子阱激光器中增益,折射率和线宽增强因子的外延结构依赖性。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:纤锌矿型GaN / AlGaN量子阱中压电电场增强的二阶非线性光学磁化率
机译:纤锌矿GaN / alGaN量子阱中压电场增强的二阶非线性光学敏感性