GaAs单片行波放大器的高温加速寿命试验研究

摘要

本论文用步进应力和恒定应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路行波放大器的可靠性进行了初步的研究.根据步进应力试验的结果得到了恒定应力加速寿命试验的最佳试验温度.在T<,ch>=255℃和T<,ch>=285℃温度并加额定直流偏置条件下对样品进行了恒定应力加速寿命试验,得到国产GaAs MMIC的主要失效模式为I<,DSS>退化和栅漏电流的增大.I<,DSS>退化的激活能Ea=1.16eV,在沟道温度为423K(150℃)时其特征寿命为1.02×10<'6>小时,在沟道温度为423K条件下工作10年的平均失效率为1.55×10<'6>h<'-1>(1550FIT).