基于InGaAs/InP SHBT技术的10 Gb/s单片跨阻放大器研究

摘要

本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。