金属预置层固态Se源后硒化法制备CIS薄膜材料的研究

摘要

制备CIS薄膜太阳电池吸收层,金属预置层固态Se源后硒化法是一种低成本、安全简便的工艺.该方法制备的CIS薄膜其晶相表观结构与电学特性,主要由Cu、In元素配比、衬底温度、升温速率以及硒气浓度来决定.要使Cu、In、Se完全形成CuInSe<,2>薄膜,其衬底温度一定要大于395℃,而小于212℃时,则尚未形成三元化合物;硒化衬底温度升温过快,In或InSe容易被升华而缺In富Cu,且薄膜不均匀;升温速率在一定范围内变化,CRD谱线和电学特性没有变化,但对晶粒尺寸有影响.