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师磊;
中国建材国际工程有限公司,蚌埠,233018;
CIS薄膜; 硒化温度; 薄膜;
机译:硒化温度对两阶段“人工硒化”法获得的不同厚度的薄膜Cuin_(0.95)GA_(0.05)SE_2的结构性能的影响
机译:通过汽化金属前体层的硒化获得的Cuin_(1-x)al_xse_2薄膜
机译:通过依次蒸镀金属层的硒化而形成基于CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的薄膜太阳能电池
机译:硒化二乙基硒作为金属前体的硒化制备CuIn1-xGaxSe2薄膜
机译:使用化学喷雾热解法生长和表征二硒化铜铟(CIS)薄膜。
机译:沉积温度对化学制备纳米晶硒化铅薄膜的结构和光学性能的影响
机译:CuIn0.95Ga0.05S2薄膜拉曼散射的依赖性施加薄膜硒化厚度和温度
机译:用于制造薄膜CIs电池和子模块的新型两阶段硒化方法。最终分包合同报告,1993年3月1日 - 1995年3月31日
机译:金属有机化学气相沉积法制备CuInS 2 Sub>薄膜的方法,用该方法制备的CuInS 2 Sub>薄膜及其In 2 Sub> S的制备方法 3 Sub>薄膜
机译:通过金属有机化学气相沉积制备CuInS2薄膜的方法,用相同的方法制备的CuInS2薄膜及其制备In2S3薄膜的方法
机译:金属有机化学气相沉积Cuins2薄膜的制备方法,Cuins2薄膜的制备及其In2S3薄膜的制备方法
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