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徐传骧; 董小兵; 崔秀芳;
中国电工技术学会;
整流元件; 晶闸管; 体特性; 中照单晶; 接触带电;
机译:用于纳米CMOS器件的带应变硅层的绝缘体上硅锗(SGOI)衬底的界面特性分析
机译:衬底偏置对新型硅高压器件结构中击穿特性的影响
机译:薄层绝缘体上硅高压PMOS器件及应用
机译:4H-碳化硅高压器件的设计与制造。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:体硅和蓝宝石硅器件的低温特性
机译:集成硅器件技术卷十。硅的化学/冶金特性
机译:形成半导体器件硅量子点以获取器件良好特性和保证硅量子点稳定运行特性的方法
机译:具有不同晶体取向的具有硅层的绝缘体上硅半导体器件和形成绝缘体上硅半导体器件的方法
机译:和绝缘体半导体器件,硅--具有不同晶向的硅层的硅上-形成绝缘体半导体器件的方法-
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