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体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

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摘要

从等温和非等温两个角度,在250 K～573 K(-23℃～300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究.系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理.

著录项

来源
《现代电子技术》|2006年第23期|124-126|共3页
作者
刘侠; 王钦;
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作者单位

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP333.5+2;
关键词
体硅LDMOS; 等温; 非等温; 负阻效应;
入库时间 2022-08-18 03:31:37

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