退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李栋良; 孙伟锋;
东南大学集成电路学院,南京,210096;
N-LDMOS; 内场限环; 场极板; 漂移区; 击穿电压; 体硅;
机译:利用嵌入式单晶硅颗粒开发的器件迁移率> 500 cm〜2 / V·S的硅工艺,适用于大面积显示背板
机译:用于未来的极薄绝缘体上硅器件的硅单层的实验研究:由于量子约束效应而对声子/能带结构的调制
机译:创新的80V-100V高侧侧隔离N-LDMOS器件
机译:20V DeMOS-SCR器件中的电压过冲研究
机译:硅的激光束处理:绝缘体上硅材料和器件的激光退火和激光重结晶研究
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:硅器件制造工艺中等离子体工艺引起的损伤及其光学测量方法的研究
机译:硅器件中的载流子传输研究:用于存储器件应用的多层绝缘体的电学和光学研究
机译:具有不同晶体取向的具有硅层的绝缘体上硅半导体器件和形成绝缘体上硅半导体器件的方法
机译:和绝缘体半导体器件,硅--具有不同晶向的硅层的硅上-形成绝缘体半导体器件的方法-
机译:具有不同的晶体取向的硅层的绝缘体上硅半导体器件以及形成绝缘体上硅半导体器件的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。