首页> 中文会议>全国工程电介质学术会议 >高压硅器件台面造型特性的OBIC法检测

高压硅器件台面造型特性的OBIC法检测

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文通过采用光感生电流法(OBIC)分析了大功率硅半导体p-n结表面定态光电导下耗尽区的扩展,分析了OBIC曲线所反映的高压硅器件台面造型的耐压特性,以及曲线本身的变化代表的与器件表面钝化保护效果相关的信息.

著录项

来源
《全国工程电介质学术会议》|2003年|147-150|共4页
会议地点西安
作者
董小兵; 张少云; 徐传骧;
展开▼
作者单位

中国电工技术学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测量和检验;P-N结;
关键词
硅器件; 表面耗尽区; 光感生电流法; 耐压性能; 表面保护;
入库时间 2022-08-17 11:08:13

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测 [J] . 董小兵 ,张少云 ,徐传骧 . 西安交通大学学报 . 2004,第006期
2. 高压SiC器件封装用有机硅弹性体高温宽频介电特性分析 [J] . 刘东明 ,李学宝 ,顼佳宇 . 电工技术学报 . 2021,第012期
3. 体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究 [J] . 刘侠 ,王钦 . 现代电子技术 . 2006,第023期
4. 高压功率器件的台面终端技术 [J] . 孔德平 ,姚风冰 . 上海半导体 . 1993,第003期
5. 界面层对台面型高压电力器件的影响 [J] . EDMUND ,P．BURTE . 国外电力电子技术 . 1992,第001期
6. 高压晶闸管的类台面造型工艺 [C] . 冯善洪 . 中国自动化学会自动化科学技术应用学术会议 . 1998
7. 高压双向可控硅静电保护器件研究 [A] . 关健 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号