重掺硅衬底片的内吸除效应

摘要

本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.