一种光电探测器用重掺硅衬底制备高阻外延层的方法

摘要

本发明涉及一种光电探测器用重掺硅衬底制备高阻外延层的方法。将硅衬底片装入外延反应腔体内的外延基座上，依次利用氮气和氢气吹扫外延炉掺杂管道和反应腔体。给外延基座加热，由室温升温至1160℃。在恒温下对硅衬底片烘烤3min，使硅衬底片表面的杂质挥发，使表面形成杂质耗尽区。利用流量周期性快速交替变化，范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第一层外延层的生长。利用流量周期性快速交替变化，范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第二层外延层的生长。有益效果是：整片区域的电阻率均可满足高于1000Ω·cm的指标，使材料可满足光电探测器的使用要求。