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黄静; 郭霞; 渠红伟; 廉鹏; 董立闽; 朱文军; 杜金玉; 邹德恕; 沈光地;
中国宇航学会;
VCSEL; Al,xGa,1-xAs; 氧化; 垂直腔面发射激光器;
机译:高电场中选择性掺杂的In_(0.5)Ga_(0.5)As / Al_xIn_(1-x)As和In_(0.2)Ga_(0.8)As / Al_xGa_(1-x)As异质结构的量子阱中电子的漂移速度
机译:电子在强电场中选择性掺杂的异质结构In_(0.5)Ga_(0.5)As / Al_xIn_(1-x)As和In_(0.2)Ga_0.8)As / Al_xGa_(1-x)As的量子阱中的漂移速度
机译:B_xGa_(1-x)N,B_xAl_(1-x)N,Al_xGa_(1-x)N和B_xAl_yGa_(1-x-y)N化合物的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:使用选择性湿法刻蚀的增强模式AlN / Ultrathin AlGaN / GaN HEMT
机译:Ga [1-x] AlxAs液相相膜的制备及性能研究
机译:GaN的极性反转横向过生长和选择性湿法蚀刻和再生长(PILOSWER)
机译:“布拉格”电子人口格栅,室内在异质结构Al-= -X - = /子= -ga-= sub = -1-x - = / sub = -As-Gaas-al- = sub = -x - = / sub = -ga- = sub = -1-x - = / sub = - 它自己受刺激的picoSecond辐射
机译:有机金属气相外延al / sub X / Ga / sub 1-X / as和al / sub X / Ga / 1-X / as / Gaas的电学和光学性质的研究。进展报告,1982年12月1日至1983年11月
机译:生产AlxGa(1-X)N单晶,AlxGa(1-X)N单晶和光学的过程
机译:AlxGa (1-x) Sub> N单晶,AlxGa (1-x) Sub> N单晶的制造方法以及光学透镜
机译:Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体的生长方法以及Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体衬底
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