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李文兵; 韩勤; 杨晓红; 杜云; 朱彬; 倪海乔;
中国科学院半导体研究所光电子研发中心;
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
选择性腐蚀; GaAs牺牲层; MEMS;
机译:利用光反射光谱研究Al_xGa_(1-x)As / GaAs / Al_xGa_(1-x)As耦合量子阱中尺寸量化的影响
机译:GaAs / Al_xGa_(1-x)As和Al_xGa_(1-x)As / GaAs核壳纳米线的电子结构和光吸收
机译:Al_xga_(1-x)as / gaas / al_xga_(1-x)异位结构的弱定位与静电诱导的随机解毒剂阵列
机译:对AL_XGA_(1-X)AS / GAAS / AL_XGA_(1-X)作为量子阱的Quasi OD尺寸结构的限制效应
机译:复杂多离子溶液中结构材料的电化学腐蚀研究。
机译:结构和温度对腐蚀的影响硫脲衍生物在1.0 M HCl溶液中的抑制作用
机译:7.低电子浓度GaAs / Al_xGa_ <1-x>作为异质结样品中分数量子霍尔效应的测量(自然科学研究生院,物理系,硕士论文/摘要(1989))
机译:组分梯度In(x)Ga(1-x)as / Gaas(001)异质结构应变微米级空间变化的研究
机译:空化腐蚀研究装置-利用旋转流产生内爆腔来腐蚀样品
机译:空化侵蚀奥氏菌塑料结构与腐蚀的综合研究
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