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高势垒掩埋的垂直堆垛InAs量子点的独特性质

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在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs量子点进行了表征.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|55-55|共1页
会议地点牡丹江
作者
李树玮; 小池一步; 矢野满明;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
半导体量子点结构; 异质结构效应晶体管; InAs量子点; 表面形貌表征; 光致发光谱;

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