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王海龙; 朱海军; 宁东; 陈枫; 封松林;
中国科学院半导体研究所;
自组织生长; 量子点; DLTS; 空穴俘获势垒; 砷化铟;
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:GaAs量子阱中心具有InAs量子点的双势垒结构中空穴的共振隧穿
机译:异位退火对四元合金(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结构的影响,随着生长速率,势垒厚度和种子量子点单层覆盖率的变化,优化了光电和结构性能
机译:生长速度和势垒厚度对具有四级(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结结构的光致发光热稳定性的影响
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:检测自组织InAs / InGaAs量子点超晶格中的空间局部激子:一种提高光伏效率的方法
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:量子点半导体光放大器在下部势垒层上具有几个量子点,并带有侧面势垒层
机译:势垒膜和包含该势垒膜的量子点聚合物复合制品
机译:具有多个量子点的中间带感光器件,所述多个量子点具有隧道势垒并且被嵌入无机基质内部
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