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林明通; 上海广电电子股份有限公司; 肖田; 楼均辉; 陈晨曦; 陈国荣; 杨云霞;
中国真空学会;
射频磁控溅射; 薄膜; 沉积速率; 介电常数; 击穿场强; 品质因子;
机译:射频磁控溅射沉积在ITO涂层康宁1737玻璃上的多层Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的介电性能
机译:工艺参数和沉积后退火对射频磁控溅射(Ba-0.5,Sr-0.5)TiO3薄膜的光学,结构和微波介电性能的影响
机译:基板温度对反应性直流溅射技术制备的氧化铝薄膜沉积速率和光学性能的影响
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:大应变对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电和铁电性能的影响
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:用于沉积非晶态IGZO薄膜的溅射装置,使用该薄膜的电子设备的基板以及制造能够提高沉积速率的显示装置的方法
机译:多频溅射可提高介电材料的沉积速率和生长动力学
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