SiC肖特基接触研究进展

摘要

碳化硅(SiC)以其优异的特性正成为新材料、微电子和光电子领域的研究热点。SiC材料制备技术和器件各项关键工艺的迅速发展,以及SiC二极管商品的面世,都要求器件制作的稳定性和影响器件的性能的理论研究能够适应发展的需要。主要从影响SiC肖特基接触性能的因素(离子辐射、热处理和缺陷等)及其机理的角度出发,综述国内外在此方面的研究现状。