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何玉娟; 师谦; 罗宏伟; 章晓文; 李斌; 刘远; 华南理工大学微电子研究所;
中国电子学会;
NMOS器件; 总剂量辐射; 辐射偏置;
机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
机译:饱和区偏置的40 Nm Pd Soi Nmos器件与Sti引起的机械应力相关的扭结效应分析
机译:总剂量辐射下磷离子注入对部分耗尽SOI NMOS背栅效应的影响
机译:NMOS器件中的总剂量效应
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:计算多毛细管X射线光学器件空间相干效应的框架
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:持续评估双极线性器件的总剂量偏差依赖性和ELDRs效应
机译:包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
机译:X射线产生系统,例如保护偏置电路免受X射线管中的高电压过电压的影响,在发生器和烧瓶之间设有高电压过电压和放电保护电路装置,以保护偏置电路
机译:偏置传感器5-一种使用负阈值五端NMOS FET器件且具有多步连接的电源电路系统,用于偏置重配置传感器的应用
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