阶梯厚度漂移区SOI新结构耐压分析

摘要

本文提出了一种阶梯厚度漂移区SOI LDMOS新结构,此结构将漂移区分成厚度由源到漏依次增加不同的区域,利用阶梯型漂移区对电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.仿真结果表明在埋氧层厚度1μm,漂移区厚度0.5μm时,该结构较常规SOI结构击穿电压提高了76％,比导通电阻降低了30％。