掺Sn的In2O3透明导电膜优先取向对性能的影响

摘要

本文采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜.系统研究了ITO薄膜优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率及载流子浓度影响很小,但可明显增加载流子迁移率.我们在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.31﹪和12.92﹪,表明(400)取向更有利于提高电池效率.由优化实验得到,最佳衬底温度为225℃,而氧流量为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90﹪,性能指数为3.8×10-2的方块/Ω.