Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究

摘要

本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度，制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验，X射线衍射(XRD)，场发射扫描电镜(FE-SEM)，透射光谱等测试结果表明，,所生长薄膜的特性依赖于生长参数。当N2O/O2=1:1时，衬底温度在510℃、540℃下，分别实现了p型转变。电阻率为102O·cm数量级，霍耳迁移率约为0.2 cm2·V-1·s-1，载流子浓度大于1×1017cm-3。