法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 25/06 授权公告日:20110720 终止日期:20131026 申请日:20091026
专利权的终止
2011-07-20
授权
授权
2010-04-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/06 申请日:20091026
实质审查的生效
2010-03-17
公开
公开
机译: 使用原子层沉积和包括该P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法
机译: 使用原子层沉积和包括该P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法
机译: 利用原子层沉积和包括P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法