背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

摘要

本文研究了p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310～365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19％,优值因子R0A达到1.77×108Ω·cm2,相应的在363nm处的探测率D*=2.6×1012cmHz1/2W-1。