聚酰亚胺薄膜工艺及其在MEMS中的应用

摘要

介绍了聚酰亚胺薄膜的制备工艺,研究了薄膜的刻蚀特性,发现湿法腐蚀得到的聚酰亚胺薄膜图形受最小尺寸的限制。对于O2等离子刻蚀,改变参教得到了刻蚀速率随O2流量和功率的变化曲线;对于RIE干法刻蚀,通过两次测量得到了更加精确的刻蚀速率.测量了薄膜的应力特性、硬度、杨氏模量及化学试剂对其的腐蚀性质。聚酰亚胺薄膜在SiC MEMS加工中作为牺牲层,重点研究了退火对释放后结构应力的影响,找到了在材料允许温度范围内的最佳退火条件。