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目录
第一章 绪 论
1.1引言
1.2 PI简介
1.3气相沉积聚合PI在电子器件中的应用价值分析
1.4本论文的选题意义和主要研究内容
第二章 实验方法
2.1 PI薄膜制备用多元共蒸发装置搭建
2.2薄膜材料及器件性能测试方法
2.3薄膜材料结构表征方法
第三章PI薄膜的气相沉积聚合制备研究
3.1单体材料的选择
3.2 PI薄膜气相沉积聚合制备工艺研究
3.3气相沉积聚合制备PI薄膜结构表征
3.4本章小结
第四章 高介电常数PI薄膜气相沉积聚合制备及性质研究
4.1 PI/Cr复合薄膜的气相沉积聚合制备工艺
4.2气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的结构表征
4.3气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的介电特性测试
4.4气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的记忆特性研究
4.5本章小结
第五章 气相沉积聚合PI薄膜在FBAR中的应用研究
5.1压电薄膜材料的选择
5.2 PI/Mo多层膜Bragg反射层的制备
5.3 AlN压电薄膜的制备与性能
5.4 FBAR器件研制
5.5本章小结
第六章 气相沉积聚合PI薄膜在pMUT中的应用研究
6.1 pMUT器件研制工艺
6.2 pMUT器件性能
6.3 pMUT在生物组织光声成像中的应用演示
6.4本章小结
第七章 高介电常数PI薄膜在GaN HEMTs中的应用
7.1 PI/Cr复合薄膜钝化的GaN HEMT器件研制工艺
7.2 GaN HEMT器件性能测试
7.3 PI/Cr钝化GaN HEMTs器件的电场分布仿真
7.4 PI/Cr高介电常数薄膜在GaN HEMTs器件中的应用价值讨论
7.5本章小结
第八章 结 论
8.1主要结论
8.2创新点
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果