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徐淑丽; 王海珍;
中国宇航学会;
焦平面器件; 抛光过程; 湿法倒角; 混成式InSb;
机译:重新设计的T-PFF-V器件,用一步式各向异性化学湿法蚀刻工艺制造:连续模式中提高胶体颗粒的分离效率
机译:InSb InSb / SiO_x /金属器件中绝缘子陷阱的研究
机译:脉冲激光辐照InSb红外焦平面阵列的热效应研究
机译:评估SBRC 256 x 256 InSb焦平面阵列和1024 x 1024 InSb焦平面阵列的初步规格
机译:高性能半导体器件的选择性湿法蚀刻和腐蚀工艺的基础研究。
机译:InSb量子阱纳米器件中的室温弹道传输
机译:INAS / INASSB Type-II超晶格中波长红外焦平面阵列,工作温度明显高于INSB
机译:用于长波红外光电探测器和焦平面阵列的Insb和InTlsb的mBE增长
机译:InSb膜的形成方式和使用InSb的霍尔器件的生产方式无效
机译:InSb晶体的形成方式,InSb半导体器件及其生产方式
机译:用于成像设备的自动聚焦设备,其具有配备有焦平面的成像光学器件,其中针对物台控制焦平面的预定距离和相对位置,从而使物体位于先前的焦平面中
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