机译:InSb InSb / SiO_x /金属器件中绝缘子陷阱的研究
Faculty of Engineering, Tel Aviv University, 69978 Tel Aviv, Israel;
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Faculty of Engineering, Tel Aviv University, 69978 Tel Aviv, Israel;
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Semi Conductor Devices (SCD), P.O. Box 2250, 31021 Haifa, Israel;
rnSemi Conductor Devices (SCD), P.O. Box 2250, 31021 Haifa, Israel;
机译:InSb / SiO / sub 2 /的金属-绝缘体-半导体结构,界面陷阱密度很低
机译:金属绝缘体过渡附近INSB(MN)晶体的异常磁性和运输性能
机译:通过磁场驱动的金属-绝缘体跃迁实现n-InSb的低温太赫兹光谱
机译:时域的磁场诱导金属绝缘体转换中的时域太赫兹光谱法N:INSB
机译:金属绝缘子金属隧道结中单个电子陷阱中心和1 / F噪声的研究。
机译:重新定义AgInSbTe器件的时间分辨陡峭阈值切换动力学揭示的相变存储器的速度极限
机译:n-Insb通过磁场的低温太赫兹光谱 场驱动金属 - 绝缘体转变
机译:电子和空穴俘获对al2O3 mIs(金属绝缘体半导体)器件辐射硬度的影响