(SiC)P表面低成本化学改性的研究

摘要

为解决裸(SiC)p在应用中存在的不足,本文作者提出(SiC)p表面低成本化学改性的思路.采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对(SiC)p进行表面化学改性.确定了最佳的实验工艺,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)P],通过SEM,EDS,XRD,TEM等测试结果表明,改性后的(Ni/SiC)p较改性前的(SiC)p导电性提高,形貌、组成发生改变.同时分析了热处理对(Ni/SiC)p的影响,结果表明,随着温度的升高,(Ni/SiC)p表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态.