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宿辉; 王桂芳; 栾风虎; 胡胜鹏;
黑龙江工程学院材料与化学工程系;
哈尔滨工程大学材料科学与工程系;
(SiC)P; 碳化硅复合粉体; 表面改性; 化学镀; 热处理;
机译:比较研究:SiC-SiC通过标准表面活化粘合的直接晶片键合,并用含Si的Ar离子束改性表面活化键合
机译:β-SiC纳米线的各向异性和化学表面改性的从头开始研究
机译:利用出原位光谱电化学方法,使用RGO-Cu改性的铅笔石墨电极及其表面取向在AG电极上的低成本电化学检测
机译:通过化学蒸气沉积路线在改性SiC纤维表面上生长SiC纳米线
机译:使用激光诱导的热脱附研究在清洁和化学改性的单晶金属表面上的表面扩散和化学反应
机译:膜技术和化学表面改性处理含油废水的研究进展
机译:表面化学和物理性质的研究;改性化学抗性聚合物
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:制造表面改性的单晶SiC基质,具有表观生长层的单晶SiC基质,半导体芯片,用于单晶SiC增长的种子基质以及多晶硅SiC基质的制造方法
机译:SiC MOSFET的表面改性制备厚度均匀的SiC MOSFET的SiC MOSFET的制造方法。
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