HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

摘要

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现的更为显著。而小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,我们同时得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。