HVPE法による（0001）面GaN基板上へのGaN厚膜成長

摘要

1995 年に室温パルス発振が報告された青紫色レーザーダイオード（LD）は、10 年足らずで市販化に至った。短期間で市販化できた要因として、基板に用いられるGaN結晶の低転位化と自立基板化が進んだことが挙げられる[1-3]。当時から現在に至るまで、GaN 基板作製法の主流はHalide(or Hydride) Vapor Phase Epitaxy（HVPE）法である。HVPE 法によれば、（0001）面GaN 種結晶上に厚さ数mm以上のGaN結晶成長が可能である。しかし、この方法にはGaN結晶の（0001）面の面積が縮小する[4]という問題がある。青紫色LD用GaN 基板の面方位は（0001）面である場合が多い。このため、（0001）面の面積縮小は、GaN結晶をスライスし（0001）面基板を作製する際の生産効率低下要因となる。この問題の解決策の一つとして、（0001）面とは反対の（0001＿）面へのGaN結晶成長が考えられる。