多晶硅片表面硅纳米线阵列引入及其钝化研究

摘要

对于较短的硅纳米线阵列而言，碘酒的钝化处理显示出更好的少子寿命改善效果，当碘酒浓度增加到0.05mol/L时，其样品的少子寿命从2.lμm增加到约13μm，随着碘酒浓度的增加其样品少子寿命又大幅降低。对于较长的硅纳米线而言，也具有随着碘酒浓度增加其少子寿命先增加后降低的趋势，但与刻蚀时间为5min的样品相比，其少子寿命在钝化过程中改善的程度明显要弱很多，这可能是由于长硅纳米线中过多的缺陷成为阻碍少子寿命提高的主导因素。同时，试验中还考察了不同碘酒浓度钝化后短硅纳米线阵列的少子寿命稳定性问题，研究表明：不同碘酒浓度钝化后，样品的少子寿命都表现出了较好的稳定性，样品在钝化处理3周以后，其少子寿命下降并不明显，表明I-I键与硅纳米线表面的Si-Hx键作用在其表面形成了较为稳定的Si-I键。