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张伟; 顾晶晶; 黄兴; 罗小蓉; 廖红; 傅达平; 高唤梅; 李航标;
四川省电子学会;
中国电子学会;
机译:带背栅的高压掩埋阶梯掺杂p +层绝缘体上硅横向双扩散MOSFET(SOI LDMOSI)
机译:单栅MOSFET,未掺杂对称和非对称双栅SOI MOSFET的漏电流模型和量子力学效应:综述
机译:具有Pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅完全耗尽SOI MOSFET的RF性能
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:阶梯通道厚度双栅隧道场效应晶体管的仿真研究
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译:能够在衬底的凹陷部分上形成高浓度掺杂的层的半导体器件的双栅及其形成方法,该双栅具有凹陷沟道结构。
机译:能够在衬底的凹陷部分上形成高浓度掺杂的层的半导体器件的双栅及其形成方法,该双栅具有凹陷沟道结构及其制造方法
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