2nm/s高速微晶硅材料及其在单室电池中的应用

摘要

本文采用喷淋(shower-head)电极结合高频、高压和高功率的方法，进行了高速微晶硅材料的制备研究。首先关注了气压和电极间距这两个沉积参数对微晶硅生长速率和晶化率的影响，发现只有这两个参数达到较好匹配时，才有利于获得具有较高沉积速率和一定晶化率的材料。之后通过调整硅烷浓度对本征材料进行了进一步优化。将材料应用于电池，通过控制硅烷通入时间，一定程度解决了高速本征层孵化层过厚的问题，从而改善电池的p/i界面。本文经过初步优化，在单室系统中获得了沉积速率超过2 mm/s、电池效率达5.3％单结微晶硅电池。