用MOCVD生长的高Al成分AlInGaN的结构和发光性质

摘要

发展高Al成分的紫外和近紫外半导体芯片符合资源节省、高能密度、高显色性白光要求以及发展独立知识产权和可持续发展的LED全生命周期评价标准的技术趋势。针对现有的紫外LED材料AlGaN和InGaN量子效率远低于蓝光LED现状,我们联合开展了AlInGaN四元合金材料的MOCVD研发试验,通过成分设计和调整,禁带宽度覆盖从紫外到红外区域,得到无应变量子阱结构,减小了压电效应,提高电子和空穴的复合效率,采用其做有源层对于提高器件量子效率、抑制大功率LED电流衰减现象有显著效果。本论文采用MOCVD设备在蓝宝石衬底上制备出了高Al成分AlInGaN薄膜,分析了该薄膜的结构与光电性能,并探讨了其生长机理。