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FinFET SRAM Cells With Dielectric Fins

机译:具有介电鳍片的FinFET SRAM细胞

摘要

An SRAM cell includes: first, second, third, fourth, and fifth dielectric fins disposed in this order along a first direction and oriented lengthwise along a second direction, where the first and the fifth dielectric fins define two edges of the SRAM cell; a first n-type semiconductor fin structure disposed between the first and the second dielectric fins; a second n-type semiconductor fin structure disposed between the fourth and the fifth dielectric fins; a first p-type semiconductor fin structure disposed between the second and the third dielectric fins; a second p-type semiconductor fin structure disposed between the third and the fourth dielectric fins, where each of the first and the second n-type semiconductor fin structures and each of the first and the second p-type semiconductor fin structures is oriented lengthwise along the second direction; and gate structures oriented lengthwise along the first direction, where the gate structures engage with one or more of the dielectric fin.
机译:SRAM单元包括:第一,第二,第三,第四和第五介电翅片沿着第一方向设置,并沿第二方向纵向定向,其中第一和第五介电翅片限定了SRAM单元的两个边缘;第一n型半导体翅片结构设置在第一和第二介电翅片之间;设置在第四和第五介电翅片之间的第二n型半导体翅片结构;第一p型半导体翅片结构设置在第二和第三介电翅片之间;设置在第三和第四介电翅片之间的第二p型半导体翅片结构,其中第一和第二n型半导体鳍片结构中的每一个和第一和第二p型半导体鳍片结构中的每一个纵向定向第二方向;沿第一方向纵向定向的栅极结构,其中栅极结构与一个或多个介电翅片接合。

著录项

  • 公开/公告号US2021343727A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.;

    申请/专利号US202117379104

  • 发明设计人 JHON JHY LIAW;

    申请日2021-07-19

  • 分类号H01L27/11;H01L27/02;H01L27/092;H01L29/78;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:04:36

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