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Method of manufacture of films of epitaxial growth in binary semiconductor compounds

机译:在二元半导体化合物中外延生长的薄膜的制造方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号FR1485970A

    专利类型

  • 公开/公告日1967-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号FR19660068011

  • 发明设计人

    申请日1966-07-04

  • 分类号C01B25/06;C22C1;H01L21/205;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 14:00:08

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