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机译：溅射沉积一层半导电材料并通过一层熔结形成半导电结
公开/公告号FR1550123A
专利类型
公开/公告日1968-12-20
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号FRD1550123
发明设计人
申请日1967-07-07
分类号C23C14/35;H01L21/00;
国家 FR
入库时间 2022-08-23 11:59:03
机译： 溅射沉积一层半导电材料并通过一层熔结形成半导电结
机译： 辉光放电沉积设备的改进，适用于在衬底上沉积半导体材料的设备的改进。在衬底的整个表面上均匀沉积半导体层的工艺，以及高速沉积非晶态半导体材料的工艺沉积设备
机译： 双结或多孔量子二极管，例如用于例如高密度数据存储的激光二极管具有直接沉积在衬底上的半导体层和通过激光烧蚀沉积在前一层上的本征掺杂的氧化锌层
