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机译:利用离子注入和砷扩散制造半导体器件的方法
公开/公告号FR2046925B1
专利类型
公开/公告日1973-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 TOKYO SHIBAURA ELECTRICJA;
申请/专利号FR19700022802
发明设计人
申请日1970-06-19
分类号H01L7/00;H01L11/00;
国家 FR
入库时间 2022-08-23 06:45:42
机译: 利用离子注入和砷扩散制造半导体器件的方法