• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外国专利> field effect transistor with a top and a layer between the torelektrode is raised and the halbleiterkörper

field effect transistor with a top and a layer between the torelektrode is raised and the halbleiterkörper

机译：场效应晶体管的顶部和在torelektrode之间的层被抬起，与halbleiterkörper

页面导航
  • 著录项
  • 相似文献

摘要

机译：

著录项

  • 公开/公告号AT321990B

    专利类型

  • 公开/公告日1975-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号AT19710007023

  • 发明设计人

    申请日1971-08-11

  • 分类号H01L29/78;

  • 国家 AT

  • 入库时间 2022-08-23 04:26:30

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号