首页> 外国专利> A method for the production of an integrated mos - circuit structure with double layers of polycrystalline silicon on a silicon - substrate

A method for the production of an integrated mos - circuit structure with double layers of polycrystalline silicon on a silicon - substrate

机译:一种在硅衬底上生产带有多晶硅双层的集成mos-电路结构的方法。

摘要

机译:

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号