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机译：用细小碳化硅膜覆盖石墨碳板的方法和装置
公开/公告号JPS55149180A
专利类型
公开/公告日1980-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 KOKUSAI ELECTRIC CO LTD;
申请/专利号JP19790051122
发明设计人 KUROKAWA HARUSHIGE;
申请日1979-04-24
分类号C04B41/87;B28B11/04;C01B31/36;C23C16/32;H01L21/205;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 16:51:46
机译： 用细小碳化硅膜覆盖石墨碳板的方法和装置
机译： 石墨支撑基板的表面处理方法，碳化硅多晶膜的薄膜形成方法，以及碳化硅多晶衬底的制造方法
机译： 形成氧化物膜的方法，半导体装置，制造半导体装置的方法和装置，氧化硅碳化物和硅碳化物MOS半导体器件和硅碳化物的方法，用于该方法的集成电路器件和碳化硅MOS集成电路
