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Method for registering a mask pattern in a photo-etching apparatus for semiconductor devices

机译:在用于半导体器件的光刻设备中对准掩模图案的方法

摘要

A method is provided for registering a pattern on a mask plate with a pattern already formed on a semiconductor wafer. A reflector group is provided on the wafer comprising a plurality of reflectors having a predetermined shape, interval and alignment. Two window groups are provided at predetermined positions on the mask plate. Each window group comprises a plurality of windows having a predetermined shape, interval and alignment that corresponds to the shape, interval and alignment of the reflector group. One of the window groups is provided with a staggered phase relationship with the other window group such that when one of the wafer or the mask plate is moved relative to the other, variations in the quantity of light reflected by the reflector group and passed through the respective window groups is used to determine the relative position of the wafer and the mask plate.
机译:提供了一种用于将掩模上的图案与已经形成在半导体晶片上的图案对准的方法。在晶片上提供反射器组,该反射器组包括具有预定形状,间隔和对准的多个反射器。在掩模板上的预定位置处提供两个窗口组。每个窗口组包括多个窗口,这些窗口具有与反射器组的形状,间隔和对准相对应的预定形状,间隔和对准。窗口组中的一个与另一窗口组具有交错的相位关系,使得当晶片或掩模板中的一个相对于另一个移动时,由反射器组反射并通过反射镜组的光量发生变化。各个窗口组用于确定晶片和掩模板的相对位置。

著录项

  • 公开/公告号US4377028A

    专利类型

  • 公开/公告日1983-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELMEC CO. LTD.;

    申请/专利号US19800213960

  • 发明设计人 ISSEI IMAHASHI;

    申请日1980-12-08

  • 分类号H01L21/312;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 09:51:21

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